[发明专利]IGBT功率器件在审
| 申请号： | 201811147957.3 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110970497A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 刘伟;袁愿林;刘磊;毛振东 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/423;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215028 江苏省苏州市苏州工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | igbt 功率 器件 | ||
1.一种IGBT功率器件，其特征在于，包括：
半导体衬底；
位于所述半导体衬底底部的p型集电极区；
位于所述半导体衬底中的至少一组相邻的第一栅沟槽和第二栅沟槽；
位于所述第一栅沟槽和所述第二栅沟槽之间的p型体区；
位于所述p型体区中的n型发射极区；
分别位于所述第一栅沟槽和所述第二栅沟槽中的栅介质层和控制栅；
位于所述p型体区上方的一个发射极接触孔，所述发射极接触孔延伸至所述第一栅沟槽上方，所述p型体区、所述n型发射极区和所述第一栅沟槽中的控制栅均通过所述发射极接触孔中的发射极金属层外接发射极电压。
2.如权利要求1所述的一种IGBT功率器件，其特征在于，所述第一栅沟槽和所述第二栅沟槽依次间隔交替排布。
3.如权利要求2所述的一种IGBT功率器件，其特征在于，位于所述第一栅沟槽两侧的p型体区共用一个发射极接触孔。
4.如权利要求1所述的一种IGBT功率器件，其特征在于，所述发射极金属层嵌入至所述p型体区内。
5.如权利要求1所述的一种IGBT功率器件，其特征在于，还包括位于所述第一栅沟槽中的隔离介质层和屏蔽栅，所述第一栅沟槽中的屏蔽栅通过所述隔离介质层与所述半导体衬底和所述第一栅沟槽中的控制栅隔离，所述第一栅沟槽中的屏蔽栅通过所述发射极接触孔中的发射极金属层外接发射极电压。
6.如权利要求5所述的一种IGBT功率器件，其特征在于，所述第一栅沟槽中的控制栅位于所述第一栅沟槽的上部的侧壁位置处，所述第一栅沟槽中的屏蔽栅覆盖所述第一栅沟槽的下部并向上延伸至所述第一栅沟槽的上部。
7.如权利要求1所述的一种IGBT功率器件，其特征在于，还包括位于所述第二栅沟槽中的隔离介质层和屏蔽栅，所述第二栅沟槽中的屏蔽栅通过所述隔离介质层与所述半导体衬底和所述第二栅沟槽中的控制栅隔离，所述第二栅沟槽中的屏蔽栅外接发射极电压，所述第二栅沟槽中的控制栅外接栅极电压。
8.如权利要求7所述的一种IGBT功率器件，其特征在于，所述第一栅沟槽的开口宽度小于所述第二栅沟槽的开口宽度。
9.如权利要求7所述的一种IGBT功率器件，其特征在于，所述第二栅沟槽中的控制栅位于所述第二栅沟槽的上部的侧壁位置处，所述第二栅沟槽中的屏蔽栅覆盖所述第二栅沟槽的下部并向上延伸至所述第二栅沟槽的上部。
10.如权利要求1所述的一种IGBT功率器件，其特征在于，还包括位于所述半导体衬底中且位于p型集电极区之上的n型场截止区。
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