[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 201811147914.5 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109585296A | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 林翔伟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳;李琛 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体装置包括：鳍状物，自基板的上表面延伸；栅极堆叠，位于鳍状物上；第一介电材料，位于栅极堆叠的侧壁上；外延区，与栅极堆叠相邻；第二介电材料，位于外延区上与第一介电材料的侧壁上，其中外延区上的第二介电材料的第一部分的厚度，小于外延区上的第二介电材料的第二部分的厚度，其中第二部分比第一部分靠近基板；第三介电材料，位于第二介电材料上；以及导电结构，延伸穿过第三介电材料与第二介电材料以接触外延区。 | ||
| 搜索关键词： | 介电材料 外延区 栅极堆叠 半导体装置 鳍状物 侧壁 基板 导电结构 延伸穿过 上表面 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的形成方法，包括：形成自一基板凸起的一半导体鳍状物；形成一栅极堆叠于该半导体鳍状物上；形成一第一介电材料于该栅极堆叠的侧壁上；形成与该栅极堆叠相邻的多个源极与漏极区；形成一第二介电材料于该些源极与漏极区的顶部与侧壁上及该第一介电材料上；进行一蚀刻工艺以形成多个开口于该第二介电材料中，且该些开口露出该些源极与漏极区；以及形成一第三介电材料于该第二介电材料上，且该第三介电材料不同于该第二介电材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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