[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 201811147913.0 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN109599340A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 詹佳玲;林彥君 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳;李琛 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 方法包括形成鳍状物于基板上；形成虚置栅极结构于鳍状物上；形成第一间隔物于虚置栅极结构上；布植第一掺质至鳍状物中，以形成与第一间隔物相邻的鳍状物的掺杂区；移除鳍状物的掺杂区以形成第一凹陷，其中第一凹陷自对准掺杂区；以及外延成长源极/漏极区于第一凹陷中。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍状物 掺杂区 凹陷 虚置栅极结构 间隔物 源极/漏极区 半导体装置 自对准 布植 掺质 基板 移除 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的形成方法，包括：形成一鳍状物于一基板上；形成一虚置栅极结构于该鳍状物上；形成一第一间隔物于该虚置栅极结构上；布植一第一掺质至该鳍状物中，以形成与该第一间隔物相邻的该鳍状物的一掺杂区；移除该鳍状物的该掺杂区以形成一第一凹陷，其中该第一凹陷自对准该掺杂区；以及外延成长一源极/漏极区于该第一凹陷中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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