[发明专利]半导体装置的形成方法

说明书

方法包括形成鳍状物于基板上；形成虚置栅极结构于鳍状物上；形成第一间隔物于虚置栅极结构上；布植第一掺质至鳍状物中，以形成与第一间隔物相邻的鳍状物的掺杂区；移除鳍状物的掺杂区以形成第一凹陷，其中第一凹陷自对准掺杂区；以及外延成长源极/漏极区于第一凹陷中。

技术领域

本发明实施例关于鳍状场效晶体管，更特别关于控制鳍状场效晶体管的通道区形状。

背景技术

半导体装置已用于多种电子应用，比如个人电脑、手机、数码相机、与其他电子设备。半导体装置的制作方法通常为按序沉积绝缘或介电层、导电层、与半导体层的材料于半导体基板，并采用微影图案化多种材料层，以形成电路构件与单元于半导体基板上。

半导体产业持续缩小最小结构尺寸，以持续改良多种电子构件如晶体管、二极管、电阻、电容、与类似物的集成密度，以整合更多构件至给定区域中。然而随着最小结构尺寸缩小，将产生需解决的额外问题。

发明内容

本发明一实施例提供的半导体装置的形成方法，包括形成鳍状物于基板上；形成虚置栅极结构于鳍状物上；形成第一间隔物于虚置栅极结构上；布植第一掺质至鳍状物中，以形成与第一间隔物相邻的鳍状物的掺杂区；移除鳍状物的掺杂区以形成第一凹陷，其中第一凹陷自对准掺杂区；以及外延成长源极/漏极区于第一凹陷中。

附图说明

图1是一些实施例中，鳍状场效晶体管装置的透视图。

图2是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的中间阶段的剖视图。

图3是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的中间阶段的剖视图。

图4是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的中间阶段的剖视图。

图5是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的中间阶段的剖视图。

图6A至6B是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的中间阶段的剖视图。

图7A至7C是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的中间阶段的剖视图。

图8A至8C是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的中间阶段的剖视图。

图9A至9C是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的中间阶段的剖视图。

图10A至10C是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的中间阶段的剖视图。

图11是一些实施例的实验结果，其反映掺杂轮廓与布植技术之间的关系。

图12A至12C是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的中间阶段的剖视图。

图13A至13C是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的中间阶段的剖视图。

图14是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的中间阶段的剖视图。

图15是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的中间阶段的剖视图。

图16A至16C是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的中间阶段的剖视图。

图17A至17C是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的中间阶段的剖视图。

图18A至18C是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的中间阶段的剖视图。

图19A至19C是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的中间阶段的剖视图。

图20A至20C是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的中间阶段的剖视图。

图21A至21C是一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的中间阶段的剖视图。