[发明专利]一种半导体功率器件在审
| 申请号： | 201811147319.1 | 申请日： | 2018-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110970501A | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 王睿;刘伟;毛振东;袁愿林 | 申请（专利权）人： | 苏州东微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215028 江苏省苏州市苏州工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体公开了一种半导体功率器件，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的至少一个栅沟槽；位于所述栅沟槽中的栅介质层、第一控制栅、第二控制栅、隔离介质层和屏蔽栅；位于所述半导体衬底中且靠近所述第一控制栅一侧的体区；位于所述体区中的源区；位于所述体区上方的一个源极接触孔，所述源极接触孔延伸至所述栅沟槽上方，所述体区、所述源区、所述第一控制栅和所述屏蔽栅均通过所述源极接触孔中的源极金属层外接源极电压。本发明可以减小半导体功率器件中相邻的栅沟槽之间的间距，从而可以提高半导体衬底的掺杂浓度，降低导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 功率 器件 | ||
【主权项】：
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