[发明专利]一种柔性透明氧化铪基铁电薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201811131091.7 | 申请日： | 2018-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN109256420B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 姜杰;刘文燕;周益春;廖敏 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/78;H01L29/786;H01L21/34 |
| 代理公司： | 11489 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 陈超 |
| 地址： | 411100 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种柔性透明氧化铪基铁电薄膜晶体管及其制备方法，其中，该晶体管包括柔性衬底、底栅电极、氧化铪基铁电薄膜层、氧化物半导体有源层和均设置于顶层的源电极和漏电极，该制备方法包括：制备柔性衬底且由下至上依次在柔性衬底上制备底栅电极、铁电薄膜层、氧化物半导体有源层、源电极和漏电极，得到柔性透明氧化铪基铁电薄膜晶体管。这种晶体管结构简单，多次弯曲后依然可以正常工作，其制备方法工艺简单，成本低廉，可用于电子平板显示领域及可延展性柔性器件领域，具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 基铁电 氧化铪 薄膜晶体管 衬底 氧化物半导体有源层 底栅电极 漏电极 源电极 透明 电子平板显示 制备方法工艺 延展性 晶体管结构 铁电薄膜层 柔性器件 薄膜层 晶体管 顶层 可用 应用 | ||
【主权项】：
1.一种柔性透明氧化铪基铁电薄膜晶体管，其特征在于，包括：柔性衬底；在所述柔性衬底上形成的底栅电极；在所述底栅电极上形成氧化铪基铁电薄膜层；在所述氧化铪基铁电薄膜层上形成的半导体有源层；在所述半导体有源层上形成的源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极位于有源层上方的两端；其中，/n所述柔性衬底为透明云母片，其厚度＜50μm；其曲率半径≤2.5mm；/n所述底栅电极为透明的AZO薄膜或ITO薄膜，其厚度为80nm；/n所述氧化铪基铁电薄膜层为掺杂Zr元素的HfO
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