[发明专利]半导体存储器件在审
| 申请号： | 201811126074.4 | 申请日： | 2018-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN109697999A | 公开（公告）日： | 2019-04-30 |
| 发明（设计）人： | 辛贤真 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;G11C16/24 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 李娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：存储单元阵列，包括连接到多条位线的多个存储单元；控制信号生成电路，被配置为响应于所述半导体存储器件的第一工作温度而产生第一控制信号，并且响应于所述半导体存储器件的第二工作温度而产生第二控制信号；预充电电路，被配置为响应于使能信号而向所述多条位线中的第一位线提供预充电电流；以及升压电路，被配置为响应于所述使能信号而向所述第一位线提供升压电流，其中所述升压电流的幅值是对所述第一控制信号和所述第二控制信号之一的响应。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体存储器件 位线 响应 第二控制信号 第一控制信号 升压电流 使能信号 配置 控制信号生成电路 存储单元阵列 预充电电流 预充电电路 存储单元 升压电路 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括连接到多条位线的多个存储单元；控制信号生成电路，所述控制信号生成电路被配置为响应于所述半导体存储器件的第一工作温度而产生第一控制信号，并且响应于所述半导体存储器件的第二工作温度而产生第二控制信号；预充电电路，所述预充电电路被配置为响应于使能信号而向所述多条位线中的第一位线提供预充电电流；以及升压电路，所述升压电路被配置为响应于所述使能信号而向所述第一位线提供升压电流，其中所述升压电流的幅值是对所述第一控制信号和所述第二控制信号之一的响应。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811126074.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：非易失性存储装置、存储设备、训练数据线的方法
- 下一篇：虚设字线跟踪电路
