[发明专利]半导体存储器件

说明书

本公开提供了一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：存储单元阵列，包括连接到多条位线的多个存储单元；控制信号生成电路，被配置为响应于所述半导体存储器件的第一工作温度而产生第一控制信号，并且响应于所述半导体存储器件的第二工作温度而产生第二控制信号；预充电电路，被配置为响应于使能信号而向所述多条位线中的第一位线提供预充电电流；以及升压电路，被配置为响应于所述使能信号而向所述第一位线提供升压电流，其中所述升压电流的幅值是对所述第一控制信号和所述第二控制信号之一的响应。

本申请要求于2017年10月23日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号为10-2017-0137566的优先权，其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开涉及一种半导体存储器件。

背景技术

可以使用流过存储单元阵列的位线的导通电流来感测非易失性存储器件中的导通/关断存储单元。可以对存储单元阵列的位线进行预充电，以允许导通电流流过该位线。为了精确的导通/关断存储单元感测，可以将存储单元阵列的位线预充电到特定电平。

当半导体存储器件的工作温度较高时，由于漏电流等导致预充电时间可能很长。因此，当半导体存储器件的工作温度很高时，可能需要相对较大的预充电电流。另一方面，当半导体存储器件的工作温度很低时，如果像半导体存储器件的工作温度很高的情况那样使用相对较大的预充电电流对位线进行预充电，则可能导致过度预充电。结果，可能降低位线的工作速度。

发明内容

本发明构思的各方面提供了一种半导体存储器件，所述半导体存储器件能够使用根据工作温度而变化的电流对存储单元阵列的位线进行预充电来缩短预充电时间。

然而，本发明构思的各方面不限于本文所阐述的各方面。通过参考下面给出的本发明构思的详细描述，对于本发明构思所属领域的普通技术人员而言，本发明构思的上述和其他方面将变得更加明显。

根据本发明构思的一些实施例，提供了一种半导体存储器件，包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括连接到多条位线的多个存储单元；控制信号生成电路，所述控制信号生成电路被配置为响应于所述半导体存储器件的第一工作温度而产生第一控制信号，并且响应于所述半导体存储器件的第二工作温度而产生第二控制信号；预充电电路，所述预充电电路被配置为响应于使能信号而向所述多条位线中的第一位线提供预充电电流；以及升压电路，所述升压电路被配置为响应于所述使能信号而向所述第一位线提供升压电流，其中所述升压电流的幅值是对所述第一控制信号和所述第二控制信号之一的响应。

根据本发明构思的一些实施例，提供了一种半导体存储器件，包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括连接到多条位线的多个存储单元；控制信号生成电路，所述控制信号生成电路被配置为产生具有响应于第一工作温度的值的第一控制信号以及产生具有响应于第二工作温度的值的第二控制信号；以及升压电路，所述升压电路连接到电压源并且被配置为由所述第一控制信号和所述第二控制信号中的任何一个控制。所述控制信号生成电路被配置为响应于所述第一工作温度产生第一控制电流以及响应于所述第二工作温度产生第二控制电流。当所述升压电路由所述第一控制信号控制时，所述升压电路向所述多条位线中的第一位线提供第一升压电流，所述第一升压电流的幅值与所述第一控制电流的幅值相同，当所述升压电路由所述第二控制信号控制时，向所述第一位线提供第二升压电流，所述第二升压电路的幅值与所述第二控制电流的幅值相同。

根据本发明构思的一些实施例，提供了一种半导体存储器件，包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括连接到多条位线的多个存储单元；控制信号生成电路，所述控制信号生成电路被配置为响应于所述半导体存储器件的第一工作温度而产生第一控制信号，并且响应于所述半导体存储器件的第二工作温度而产生第二控制信号；以及感测电路，所述感测电路被配置为响应于使能信号产生预充电电流，响应于所述使能信号以及所述第一控制信号和所述第二控制信号之一而产生升压电流，并且向所述多条位线中的第一位线提供所述预充电电流和所述升压电流。

附图说明