[发明专利]可编程存储器的制备方法有效
| 申请号： | 201811117241.9 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN109686703B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 彭泽忠 | 申请（专利权）人： | 成都皮兆永存科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239 |
| 代理公司： | 成都惠迪专利事务所(普通合伙) 51215 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 610000 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 可编程存储器的制备方法，涉及存储器的制备技术。本发明包括下述步骤：1)形成基础结构体的步骤；2)在基础结构体上形成指叉结构的步骤；3)形成柱形存储单元的步骤：按照预设的存储器的结构，在柱形孔内壁逐层设置所需的各中间层介质材料，最后在柱形孔内填充核心介质材料，形成核心介质材料层。本发明的有益效果是，制备得到的半导体存储器存储密度高，并且工艺成本低，易于实现。 | ||
| 搜索关键词： | 可编程 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.可编程存储器的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：1)形成基础结构体的步骤：以导电介质层和绝缘介质层交错重叠的方式，设置预定层数的导电介质层和绝缘介质层，形成基础结构体；2)在基础结构体上形成指叉结构的步骤：通过设置贯穿基础结构体顶层到底层的分割结构，将基础结构体分为两个交错的指叉结构，所述指叉结构包括至少两个指条和一个公共连接条，同一指叉结构中的各指条皆与该指叉结构中的公共连接条相接；所述分割结构包括柱形孔阵列和填充有绝缘材料的隔离槽；相邻两个指条之间的区域称为指间区域，处于同一指间区域的柱形孔为同行的柱形孔；3)形成柱形存储单元的步骤：按照预设的存储器的结构，在柱形孔内壁逐层设置所需的各中间层介质材料，最后在柱形孔内填充核心介质材料，形成核心介质材料层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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