[发明专利]可编程存储器的制备方法

权利要求书

1.可编程存储器的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：

1)形成基础结构体的步骤：以导电介质层和绝缘介质层交错重叠的方式，设置预定层数的导电介质层和绝缘介质层，形成基础结构体；

2)在基础结构体上形成指叉结构的步骤：通过设置贯穿基础结构体顶层到底层的分割结构，将基础结构体分为两个交错的指叉结构，所述指叉结构包括至少两个指条和一个公共连接条，同一指叉结构中的各指条皆与该指叉结构中的公共连接条相接；所述分割结构包括柱形孔阵列和填充有绝缘材料的隔离槽；相邻两个指条之间的区域称为指间区域，处于同一指间区域的柱形孔为同行的柱形孔；在同行且相邻的两柱形孔的中心点之间设置隔离孔，隔离孔侵入与其相邻的两柱形孔，且隔离孔的边缘位于相邻两柱形孔的中心点之间；然后在隔离孔中填充绝缘材料；

3)形成柱形存储单元的步骤：按照预设的存储器的结构，在柱形孔内壁逐层设置所需的各中间层介质材料，最后在柱形孔内填充核心介质材料，形成核心介质材料层。

2.如权利要求1所述的可编程存储器的制备方法，其特征在于，

所述步骤3)中，预设的存储器为：PN结型半导体存储器、肖特基二极管型存储器或记忆介质存储器；

所述记忆介质存储器为阻变存储器、磁变存储器、相变存储器或铁电存储器。

3.如权利要求1所述的可编程存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中，各柱形孔相互分离。

4.如权利要求1所述的可编程存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤2)包括：

2a.通过设置贯穿基础结构体顶层到底层的隔离槽，将基础结构体分为两个交错的指叉结构，所述指叉结构包括至少两个指条和一个公共连接条，同一指叉结构中的各指条皆与该指叉结构中的公共连接条相接；

2b.在隔离槽中填充绝缘材料；

2c.在隔离槽处钻孔，形成贯穿基础结构体顶层到底层的柱形孔，所述柱形孔侵入其两侧的指叉结构中的各层导电介质层和各层绝缘介质层。

5.如权利要求4所述的可编程存储器的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中，在柱形孔阵列中，同一行且相邻的柱形孔相互侵入，侵入方的最近边缘处于侵入方中心点与被侵入方中心点之间，所述最近边缘为最靠近被侵入方中心点的边缘。

6.如权利要求1所述的可编程存储器的制备方法，其特征在于，各步骤顺序为：

A)形成基础结构体的步骤：以导电介质层和绝缘介质层交错重叠的方式，设置预定层数的导电介质层和绝缘介质层，形成基础结构体；

B)在基础结构体上形成指叉结构的步骤：

B1.通过设置贯穿基础结构体顶层到底层的隔离槽，将基础结构体分为两个交错的指叉结构，所述指叉结构包括至少两个指条和一个公共连接条，同一指叉结构中的各指条皆与该指叉结构中的公共连接条相接；

B2.在隔离槽中填充绝缘介质；

B3.在隔离槽处形成贯穿基础结构体顶层到底层的孔，形成柱形孔阵列；相邻两个指条之间的区域称为指间区域，处于同一指间区域的柱形孔为同行的柱形孔；

C)形成柱形存储单元的步骤：按照预设的存储器的结构，在柱形孔内壁逐层设置所需的各中间层介质材料，最后在柱形孔内填充核心介质材料，形成核心介质材料层。