[发明专利]抛光处理晶体硅片表面技术在太阳电池制备中的应用在审
| 申请号： | 201811112015.1 | 申请日： | 2018-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN109273559A | 公开（公告）日： | 2019-01-25 |
| 发明（设计）人： | 黄海宾;周浪;孙喜莲 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 330031 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 抛光处理晶体硅片表面技术在太阳电池制备中的应用，其特征是在单晶硅或多晶硅太阳电池制备过程中，将清洗制绒工序中的制绒步骤改用抛光。本发明可减少硅片表面的复合损耗、载流子在发射极层或TCO层等中的传输损耗和阻碍，提高太阳电池的开路电压、短路电流、填充因子和转换效率；大大减少化学试剂的用量，降低工艺控制的难度并提高产品的均匀性和一致性。可减少微观裂纹，降低生产中的破片率和组件生产的隐裂；并且由于抛光的刻蚀量小于制绒的刻蚀量，所以可采用更薄的硅片，硅片厚度可减少10微米，可节省硅片部分成本10‑15%；可减少组件中焊带等所导致的系统串联电阻的影响以及系统连接用导线中的传输损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 表面技术 传输损耗 晶体硅片 抛光处理 抛光 刻蚀 制绒 制备 载流子 多晶硅太阳电池 单晶硅 短路电流 发射极层 复合损耗 工艺控制 硅片表面 化学试剂 降低生产 开路电压 清洗制绒 填充因子 微观裂纹 系统串联 系统连接 制备过程 转换效率 均匀性 破片率 电阻 焊带 隐裂 应用 阻碍 生产 | ||
【主权项】：
1.抛光处理晶体硅片表面技术在太阳电池制备中的应用，其特征是在单晶硅或多晶硅太阳电池制备过程中，将清洗制绒工序中的制绒步骤改用抛光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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