[发明专利]抛光处理晶体硅片表面技术在太阳电池制备中的应用

权利要求书

1.抛光处理晶体硅片表面技术在太阳电池制备中的应用，其特征是在单晶硅或多晶硅太阳电池制备过程中，将清洗制绒工序中的制绒步骤改用抛光。

2.根据权利要求1所述的抛光处理晶体硅片表面技术在太阳电池制备中的应用，其特征是包括以下步骤：

（1）用氨水与双氧水的混合溶液或其它预清洗剂对硅片表面进行预清洗；

（2）采用加热的高浓度的氢氧化钠溶液刻蚀硅片表面，去除硅片表面损伤层；

（3）根据晶体硅太阳电池制结对硅片表面平整度和洁净度的要求，选择高浓度的有机碱、氢氧化钠或氢氟酸和硝酸混合液对硅片表面抛光；

（4）再采用盐酸与双氧水的混合溶液或盐酸与氢氟酸的混合溶液对硅片表面进行清洗；

（5）采用含氢氟酸的溶液去除硅片表面氧化层，然后烘干硅片表面。

3.根据权利要求1所述的抛光处理晶体硅片表面技术在太阳电池制备中的应用，其特征是所述步骤（1）所述的其它预清洗剂为臭氧与氢氧化钾的混合溶液，乙醇的水溶液。