[发明专利]半导体芯片检查装置在审
| 申请号： | 201811100269.1 | 申请日： | 2018-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN109671636A | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 李成实;柳成润;孙荣薰;全忠森 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 根据一个实施例，一种半导体芯片检查装置包括：传送装置、图像捕获装置和分析系统。传送装置提供传送路径，在制造过程期间被加热的半导体芯片在所述传送路径上移动。图像捕获装置设置在所述传送路径上方且配置为通过成像所述半导体芯片来生成热成像图像，其中成像所述半导体芯片包括沿所述半导体芯片的厚度方向在不同焦点处捕获多个热成像图像。分析系统配置为比较所述多个热成像图像和预先提供的多个标准图像，且检测热成像图像和相应标准图像之间的温差超过参考值的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体芯片 热成像图像 传送路径 图像捕获装置 标准图像 传送装置 分析系统 检查装置 成像 成像图像 预先提供 制造过程 焦点处 上移动 生成热 配置 捕获 加热 温差 参考 检测 | ||
【主权项】：
1.一种半导体芯片检查装置，包括：传送装置，其提供传送路径，在制造过程期间被加热的半导体芯片在所述传送路径上移动；图像捕获装置，其设置在所述传送路径上方且配置为通过成像所述半导体芯片生成热成像图像，其中成像所述半导体芯片包括沿所述半导体芯片的厚度方向在不同焦点处捕获多个热成像图像；和分析系统，其配置为比较所述多个热成像图像和预先提供的多个标准图像，且检测热成像图像和相应标准图像之间的温差超过参考值的区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
