[发明专利]半导体芯片检查装置

说明书

根据一个实施例，一种半导体芯片检查装置包括：传送装置、图像捕获装置和分析系统。传送装置提供传送路径，在制造过程期间被加热的半导体芯片在所述传送路径上移动。图像捕获装置设置在所述传送路径上方且配置为通过成像所述半导体芯片来生成热成像图像，其中成像所述半导体芯片包括沿所述半导体芯片的厚度方向在不同焦点处捕获多个热成像图像。分析系统配置为比较所述多个热成像图像和预先提供的多个标准图像，且检测热成像图像和相应标准图像之间的温差超过参考值的区域。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年10月13日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0133184的优先权的权益，其公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开涉及一种半导体芯片检查装置。

背景技术

在制造半导体芯片的过程中，顺序执行多个处理。因此，在任意一个处理中发生缺陷的情况下，缺陷可一直存在到最后的处理。因此，为了改善生产率，在完成制造过程之前检测和移除有缺陷的半导体芯片的处理是重要的。在光学检查设备或电子束(e-beam)检查设备的情况下，可容易地检测到可在半导体芯片的表面上看到的缺陷，但它们对检测半导体芯片内的缺陷存在限制。由于在半导体芯片已经被制造出来之后,才可能通过对半导体芯片供电来确认半导体芯片是否能够正常操作的检查，因此对在早期阶段移除有缺陷的半导体芯片存在限制。

发明内容

本发明构思的方面提供在早期阶段检测半导体芯片中的缺陷的半导体芯片检查装置。

根据一个实施例，一种半导体芯片检查装置包括：传送装置、图像捕获装置和分析系统。传送装置提供传送路径，在制造过程期间被加热的半导体芯片在所述传送路径上移动。图像捕获装置设置在所述传送路径上方且配置为通过成像所述半导体芯片生成热成像图像，其中成像所述半导体芯片包括沿所述半导体芯片的厚度方向在不同焦点处捕获多个热成像图像。分析系统配置为比较所述多个热成像图像和预先提供的多个标准图像，且检测热成像图像和相应标准图像之间的温差超过参考值的区域。

根据一个实施例，一种半导体芯片检查装置包括：腔室、传送装置、图像捕获装置和分析系统。传送装置容纳在所述腔室中并提供传送路径，被加热到高于所述腔室中的温度的温度的半导体芯片在所述传送路径上移动。图像捕获装置设置在所述传送路径上方且配置为通过成像所述半导体芯片生成热成像图像，其中成像所述半导体芯片包括沿所述半导体芯片的厚度方向在不同焦点处捕获多个热成像图像。分析系统配置为通过处理所述多个热成像图像来生成热成像图像组，并检测在所述热成像图像组和预先提供的标准图像组之间的温差超过参考值的区域，以检测在所述半导体芯片中的缺陷。

根据一个实施例，一种半导体芯片检查装置包括：传送部分、拍照部分和分析部分。传送部分提供传送路径，在传送处理期间从第一温度冷却到第二温度的半导体芯片在所述传送路径上移动。拍照部分设置在所述传送路径上方且配置为捕获所述半导体芯片的热成像图像。分析部分配置为通过比较所述热成像图像和预先提供的多个标准图像来检测温差超过参考值的区域，同时检测在所述热成像图像中具有最高温度的部分和具有最低温度的部分，且将所述热成像图像的值乘以允许所述具有最高温度的部分和所述具有最低温度的部分中的温差增加的放大因数。

附图说明

根据以下结合附图进行的具体描述，将更清楚地理解本公开的上述和其他方面、特征和优点，在附图中，

图1是根据示例实施例的半导体芯片检查装置的示意图；

图2是图1的部分‘A’的放大图；

图3是根据示例实施例的通过拍照部分在不同焦点处对半导体芯片进行成像的示图；

图4包括部分(a)、(b)和(c)，其是在分析部分中生成的热成像图像组的示意图；