[发明专利]半导体芯片检查装置在审
| 申请号: | 201811100269.1 | 申请日: | 2018-09-20 |
| 公开(公告)号: | CN109671636A | 公开(公告)日: | 2019-04-23 |
| 发明(设计)人: | 李成实;柳成润;孙荣薰;全忠森 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;张青 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体芯片 热成像图像 传送路径 图像捕获装置 标准图像 传送装置 分析系统 检查装置 成像 成像图像 预先提供 制造过程 焦点处 上移动 生成热 配置 捕获 加热 温差 参考 检测 | ||
1.一种半导体芯片检查装置,包括:
传送装置,其提供传送路径,在制造过程期间被加热的半导体芯片在所述传送路径上移动;
图像捕获装置,其设置在所述传送路径上方且配置为通过成像所述半导体芯片生成热成像图像,其中成像所述半导体芯片包括沿所述半导体芯片的厚度方向在不同焦点处捕获多个热成像图像;和
分析系统,其配置为比较所述多个热成像图像和预先提供的多个标准图像,且检测热成像图像和相应标准图像之间的温差超过参考值的区域。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片检查装置,其中,所述分析系统配置为确定在所述温差超过所述参考值时已经发生在所检测的区域中的缺陷。
3.根据权利要求1所述的半导体芯片检查装置,其中,所述图像捕获装置包括至少一个热成像相机。
4.根据权利要求1所述的半导体芯片检查装置,其中,所述分析系统配置为通过处理所述多个热成像图像生成热成像图像组,且通过将所述热成像图像组与包括所述多个标准图像的标准图像组进行比较以分析所述热成像图像组。
5.根据权利要求4所述的半导体芯片检查装置,其中,所述分析系统配置为比较所述热成像图像组和所述标准图像组,选择其中发生了相对于来自所述标准图像组的相应标准图像的温度分布差异的热成像图像,并使用该热成像图像和所述温度分布差异来确定在所述半导体芯片中已经发生缺陷的位置。
6.根据权利要求1所述的半导体芯片检查装置,其中,所述图像捕获装置包括沿着所述传送路径设置的多个热成像相机。
7.根据权利要求6所述的半导体芯片检查装置,其中,所述半导体芯片包括沿着所述传送路径以预定间隔连续传送的多个半导体芯片中的一个,且所述多个热成像相机设置为彼此分开所述预定间隔。
8.根据权利要求1所述的半导体芯片检查装置,所述半导体芯片检查装置配置为使得在所述半导体芯片沿着所述传送路径移动的同时所述半导体芯片的温度降低。
9.根据权利要求8所述的半导体芯片检查装置,还包括温度测量装置,该温度测量装置测量所述半导体芯片的温度。
10.根据权利要求9所述的半导体芯片检查装置,还包括温度维持系统,该温度维持系统配置为在所述半导体芯片的温度的降低超过预定参考值时减小所述半导体芯片的温度的降低。
11.根据权利要求1所述的半导体芯片检查装置,其中,所述分析系统配置为检测在所述热成像图像中具有最高温度的部分和具有最低温度的部分,且将所述热成像图像在所述具有最高温度的部分和所述具有最低温度的部分中的值乘以允许温差增加的放大因数。
12.根据权利要求1所述的半导体芯片检查装置,还包括分拣系统,该分拣系统配置为分拣和移除包括如下的区域的半导体芯片:在该区域中热成像图像和相应标准图像之间的所述温差超过所述参考值。
13.一种半导体芯片检查装置,包括:
腔室;
传送装置,其容纳在所述腔室中并提供传送路径,被加热到高于所述腔室中的温度的温度的半导体芯片在所述传送路径上移动;
图像捕获装置,其设置在所述传送路径上方且配置为通过成像所述半导体芯片来生成热成像图像,其中成像所述半导体芯片包括沿所述半导体芯片的厚度方向在不同焦点处捕获多个热成像图像;和
分析系统,其配置为通过处理所述多个热成像图像来生成热成像图像组,并检测在所述热成像图像组和预先提供的标准图像组之间的温差超过参考值的区域,以检测在所述半导体芯片中的缺陷。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





