[发明专利]高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201811098772.8 | 申请日： | 2014-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN109390396B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 邱显钦;童建凯;林恒光;杨治琟;王祥骏 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/15;H01L29/20;H01L29/205;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高电子迁移率晶体管，包含：一基板；一外延叠层位于基板上，包含第一区域及环绕第一区域的第二区域；一阵列电极结构位于第一区域；以及多个第一电桥电连接至多个第二电极。阵列电极结构包含：多个第一电极位于外延叠层上，及多个第二电极位于外延叠层上并相邻于多个第一电极。多个第一电桥其中之一位于两个第二电极之间并横跨多个第一电极其中之一。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包含：基板；外延叠层，位于该基板上；以及阵列电极结构，包含：栅极，位于该外延叠层上；多个源极，位于该外延叠层上，并相邻于该栅极；以及多个漏极相邻于该栅极；其中，栅极包含第一侧、第二侧、第三侧、以及第四侧；其中，该第一侧和该第三侧为相对侧，该第二侧和该第四侧为相对侧；其中，该多个源极包含第一源极及第二源极分别配置于该第一侧和该第三侧；以及该多个漏极包含第一漏极及第二漏极分别配置于该第二侧和该第四侧。
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