[发明专利]阵列基板及显示器件有效
申请号: | 201811095887.1 | 申请日: | 2018-09-19 |
公开(公告)号: | CN109449210B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 赵东方;刘玉成;杜哲;徐思维;沈志华;葛泳 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;H01L29/423;H01L27/32;H01L27/12;H01L21/336 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 吴黎 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种驱动薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及显示器件,其中,驱动薄膜晶体管包括:有源层、栅极绝缘层和栅极,其中,有源层中沟道长度L处于35μm至50μm区间范围内。本发明通过制备增加沟道长度,弱化器件本身的沟道长度调制效应,使得驱动薄膜晶体管饱和区的斜率降低,驱动薄膜晶体管的驱动能力增强,器件经过长时间点亮后,驱动薄膜晶体管源漏两端的电压变化幅度减小,减缓了OLED显示器件的电流速率,使得OLED显示器件更长时间的处于较高的亮度状态,改善OLED器件寿命。 | ||
搜索关键词: | 阵列 显示 器件 | ||
【主权项】:
1.一种驱动薄膜晶体管,包括:有源层、栅极绝缘层和栅极,其特征在于,所述有源层中的沟道长度L处于35μm至50μm区间范围内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于云谷(固安)科技有限公司,未经云谷(固安)科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811095887.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:功率器件及其制备方法
- 下一篇:薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类