[发明专利]阵列基板及显示器件

说明书

本发明公开了一种驱动薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及显示器件，其中，驱动薄膜晶体管包括：有源层、栅极绝缘层和栅极，其中，有源层中沟道长度L处于35μm至50μm区间范围内。本发明通过制备增加沟道长度，弱化器件本身的沟道长度调制效应，使得驱动薄膜晶体管饱和区的斜率降低，驱动薄膜晶体管的驱动能力增强，器件经过长时间点亮后，驱动薄膜晶体管源漏两端的电压变化幅度减小，减缓了OLED显示器件的电流速率，使得OLED显示器件更长时间的处于较高的亮度状态，改善OLED器件寿命。

技术领域

本发明涉及发光显示领域，具体涉及一种驱动薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及显示器件。

背景技术

液晶显示和OLED显示是两种完全不同的显示技术，目前均在智能手机等领域被广泛应用。其中OLED是固体显示，这区别于液晶显示的液体属性，因此OLED显示器件对温度和压力更为不敏感，可以适应更宽广的温度和压力环境的需求。此外OLED产品可以采用多种基底制作——这源于OLED是固体显示的特性，因此OLED可以制造成柔性显示设备、透明显示设备等特种显示产品。但是OLED显示器件在长时间点亮后，器件的性能会发生退化，亮度降低，寿命减小。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种驱动薄膜晶体管及电子设备，以解决现有技术中OLED显示器件长期点亮后亮度降低，寿命减小的技术问题。

本发明提出的技术方案如下：

本发明第一方面提出了一种驱动薄膜晶体管，至少包括：

有源层、栅极绝缘层和栅极，其特征在于，

所述有源层的沟道长度L处于35μm至50μm区间范围内。

本发明所提供的驱动薄膜晶体管通过增加沟道长度，弱化器件本身的沟道长度调制效应，使得驱动薄膜晶体管饱和区的斜率降低，驱动薄膜晶体管的驱动能力增强，改善了OLED显示器件的寿命。

优选地，所述栅极绝缘层包括双层结构，包括靠近所述沟道区设置的第一栅极绝缘层，以及靠近栅极设置的第二栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层包括氧化硅，所述第二栅极绝缘层包括氮化硅。栅极绝缘层使用双层结构，相比于现有的栅极绝缘层使用单层结构，能够增加栅极对沟道的控制能力。

优选地，所述栅极绝缘层的总厚度大于或等于80nm，小于或等于120nm。

优选地，所述驱动薄膜晶体管为PMOS，所述有源层包括源区/漏区，所述源区/漏区采用硼离子进行注入，注入剂量大于5×10¹⁴个/cm²，小于 1×10¹⁵个/cm²。相对现有的源区/漏区的注入剂量减小了75％-90％，源区/ 漏区的注入剂量的减小，使得耗尽区电荷的数量和分布减小，减小了寄生电容。

本发明第二方面提出了一种阵列基板，包括：所述阵列基板上分散有若干个驱动薄膜晶体管，其中对应于蓝色像素和绿色像素的驱动薄膜晶体管中的至少一种采用以上任意一种驱动薄膜晶体管。

本发明所提供的这种阵列基板，通过采用本发明上述驱动薄膜晶体管作为蓝色像素和绿色像素的驱动薄膜晶体管，有利于改善蓝色像素和绿色像素的使用寿命，进而优化相应OLED的使用寿命。

可选地，对应于蓝色像素的驱动薄膜晶体管中沟道的长度L1，对应于绿色像素的驱动薄膜晶体管中沟道的长度L2，对应于红色像素的驱动薄膜晶体管中沟道的长度L3，其中L1和L2大于L3；优选L1与L3的差值大于等于10μm，优选L2与L3的差值大于等于10μm。

在OLED器件中，红色像素、绿色像素和蓝色像素的寿命通常不同，而绿色像素和蓝色像素的寿命低于红色相同，通过调整不同颜色的像素的沟道长度，进而使得三者寿命接近，有利于优化OLED器件的整体寿命。

可选地，L3为18-35μm。