[发明专利]阵列基板及显示器件

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板上分散有若干个驱动薄膜晶体管，其中对应于蓝色像素和绿色像素的驱动薄膜晶体管中的至少一种采用驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管包括有源层、栅极绝缘层和栅极，所述有源层中的沟道长度L处于35μm至50μm区间范围内；

其中，对应于蓝色像素的驱动薄膜晶体管中沟道的长度L1，对应于绿色像素的驱动薄膜晶体管中沟道的长度L2，对应于红色像素的驱动薄膜晶体管中沟道的长度L3，其中L1和L2大于L3。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，L1与L3的差值大于等于10μm。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，L2与L3的差值大于等于10μm。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，L3为18-35μm。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层包括双层结构，包括靠近所述有源层设置的第一栅极绝缘层，以及靠近栅极设置的第二栅极绝缘层，所述第一栅极绝缘层包括氧化硅，所述第二栅极绝缘层包括氮化硅。

6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层的总厚度大于或等于80nm，小于或等于120nm。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动薄膜晶体管为PMOS，所述有源层包括源区/漏区，所述源区/漏区采用硼离子进行注入，注入剂量大于或等于5×10¹⁴个/cm²，小于或等于1×10¹⁵个/cm²。

8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述驱动薄膜晶体管采用如下制备方法，包括：

在基板上形成有源层；在所述有源层上制作源极和漏极；

并在所述有源层上依次形成栅极绝缘层和栅极；

其中，有源层中的沟道长度处于35μm至50μm区间范围内。

9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，

所述驱动薄膜晶体管制备方法中，在所述基板上沉积所述有源层后还包括：对所述有源层进行大于或等于45分钟小于或等于90分钟的氢化处理；和/或，

所述驱动薄膜晶体管制备方法还包括：制作源区/漏区时，注入能量大于或等于25KeV，小于或等于35KeV；和/或，

所述驱动薄膜晶体管制备方法还包括：对所述驱动薄膜晶体管进行大于或等于45分钟小于或等于90分钟的退火处理。

10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置中包括权利要求1-9任一项所述的阵列基板。