[发明专利]一种制备金刚石基衬底氮化镓晶体管的方法在审
| 申请号： | 201811089355.7 | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN109256336A | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 李成明;贾鑫;魏俊俊;刘金龙;陈良贤 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L23/373 |
| 代理公司： | 北京市广友专利事务所有限责任公司 11237 | 代理人： | 张仲波 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种制备金刚石基衬底氮化镓晶体管器件的方法，属于半导体工艺技术领域。首先在GaN正面沉积一定厚度的介电层后沉积金刚石膜，然后去除原始衬底和GaN形核层，之后在剩余GaN表面沉积高质量GaN器件层，获得金刚石基GaN晶片，最终在金刚石基氮化镓晶片上制备晶体管器件，从而获得基于金刚石衬底的氮化镓晶体管器件。本发明方法不仅解决了如何将GaN晶片转移至临时载体的问题，而且降低了转移过程中氮化镓晶片破裂的风险；同时得到的金刚石基GaN晶片属于同质外延生长的晶片，GaN层质量更高，界面结合力更强，大大降低界面热阻，充分发挥金刚石膜高导热性能的潜力。这种金刚石基氮化镓晶片可以用于解决高功率器件的热扩散问题。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 氮化镓晶体管 氮化镓晶片 晶片 制备 金刚石膜 衬底 基衬 半导体工艺技术 同质外延生长 高导热性能 高功率器件 界面结合力 晶体管器件 表面沉积 界面热阻 晶片转移 临时载体 正面沉积 介电层 热扩散 形核层 沉积 去除 破裂 | ||
【主权项】：
1.一种制备金刚石基衬底氮化镓晶体管器件的方法，其特征是在于首先在GaN正面沉积一定厚度的介电层后沉积金刚石膜，然后去除原始衬底和GaN形核层，之后在剩余GaN表面沉积高质量GaN器件层，获得金刚石基GaN晶片，最终在金刚石基氮化镓晶片上制备晶体管器件，从而获得基于金刚石衬底的氮化镓晶体管器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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