[发明专利]氧化钼-氧化锌紫外光太阳能电池在审
| 申请号： | 201811087159.6 | 申请日： | 2018-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN109346540A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 黄仕华;陆肖励 | 申请（专利权）人： | 浙江师范大学 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296;H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/042 |
| 代理公司： | 杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216 | 代理人： | 朱枫 |
| 地址： | 321004 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化钼‑氧化锌紫外光太阳能电池，具有如下的结构：Ag/ITO/MoO3/ZnO/Al‑ZnO/ITO导电玻璃，其中Al‑ZnO中Al的掺杂质量分数为1.5～2.5％。本发明利用非有意掺杂的氧化锌纳米薄膜作为紫外光电池的窗口层，然后以氧化钼作为空穴传输层，以铝掺杂的氧化锌(Al‑ZnO)作为电子传输层，利用磁控溅射生长氧化锌纳米薄膜，在工作气体中加入氢气，氢等离子体会增强氧化锌薄膜的晶化和晶界的钝化，从而提高薄膜的载流子迁移率，增强了纳米晶粒的量子尺寸效应。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外光 氧化锌 氧化钼 氧化锌纳米薄膜 太阳能电池 量子尺寸效应 载流子迁移率 电子传输层 空穴传输层 氧化锌薄膜 磁控溅射 导电玻璃 工作气体 纳米晶粒 氢等离子 质量分数 氢气 掺杂的 窗口层 铝掺杂 钝化 晶化 晶界 薄膜 掺杂 电池 生长 | ||
【主权项】：
1.氧化钼‑氧化锌紫外光太阳能电池，其特征在于：具有如下的结构：Ag/ITO/MoO3/ZnO/Al‑ZnO/ITO导电玻璃，其中Al‑ZnO中Al的掺杂质量分数为1.5～2.5％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
