[发明专利]半导体存储器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811082775.2 | 申请日： | 2018-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN109524399A | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 任桐贤;金旲炫;朴训;徐在洪;郑天炯;崔在中 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本公开提供了半导体存储器件及其制造方法。一种制造半导体存储器件的方法包括：蚀刻基板以形成与基板的有源区交叉的沟槽；在沟槽的底表面和侧表面上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成第一栅电极，该第一栅电极填充沟槽的下部；氧化第一栅电极的顶表面以形成初始阻挡层；氮化初始阻挡层以形成阻挡层；以及在阻挡层上形成第二栅电极，该第二栅电极填充沟槽的上部。 | ||
| 搜索关键词： | 栅电极 阻挡层 半导体存储器件 栅极绝缘层 填充 制造 氮化 蚀刻基板 侧表面 顶表面 基板 源区 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体存储器件的方法，包括：蚀刻基板以形成与所述基板的有源区交叉的沟槽；在所述沟槽的底表面和侧表面上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成第一栅电极，该第一栅电极填充所述沟槽的下部；氧化所述第一栅电极的顶表面以形成初始阻挡层；氮化所述初始阻挡层以形成阻挡层；以及在所述阻挡层上形成第二栅电极，该第二栅电极填充所述沟槽的上部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
