[发明专利]底栅底接触结构器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201811082566.8 | 申请日： | 2018-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN110389224A | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 程姗姗;张丛丛;胡文平;王利维;王勇;卢小泉;司珂 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G01N33/574 | 分类号： | G01N33/574 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 李蕊;田阳 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种底栅底接触结构器件及其制备方法，包括：带有SiO2层的硅片、RGO层、semi‑RGO层，所述SiO2层负载在作为栅极的所述硅片(Si)上，所述RGO层为多对，每对RGO层为2个且分别作为所述全共价键连接全还原氧化石墨烯场效应晶体管上一FET的源电极和漏电极，2个所述RGO层相互平行并负载在所述SiO2层上，所述semi‑RGO层负载在所述RGO层和该RGO层四周的SiO2层上并作为半导体层。本发明全共价键连接全还原氧化石墨烯场效应晶体管可满足于提供价廉、无标识并且快速简便的实时检测需求，并且为溶液相检测提供了新思路。 | ||
| 搜索关键词： | 还原氧化石墨烯 场效应晶体管 共价键连接 接触结构 硅片 底栅 制备 半导体层 实时检测 漏电极 溶液相 源电极 平行 检测 | ||
【主权项】：
1.一种全共价键连接全还原氧化石墨烯场效应晶体管，其特征在于，包括：带有SiO2层的硅片、RGO层、semi‑RGO层，所述SiO2层负载在作为栅极的所述硅片(Si)上，所述RGO层为多对，每对RGO层为2个且分别作为所述全共价键连接全还原氧化石墨烯场效应晶体管上一FET的源电极和漏电极，2个所述RGO层相互平行并负载在所述SiO2层上，所述semi‑RGO层负载在所述RGO层和该RGO层四周的SiO2层上并作为半导体层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学，未经天津大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811082566.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
