[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 201811063187.4 | 申请日： | 2018-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN109244203A | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 顾俊;胡任浩;韦春余;胡加辉;周飚 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的外延片及其制备方法，属于发光二极管制造领域。设置在AlN层与低温GaN层之间的InxAl1‑xN层，在x的范围为0.16～0.18时，一方面由于InxAl1‑xN层结构中与AlN层结构中有共用的Al原子与N原子，由此可保证InxAl1‑xN层在AlN层上的良好连接与生长，InxAl1‑xN层本身的质量与表面平整性较好；另一方面，此时InxAl1‑xN层中晶胞的晶格常数与低温GaN层中晶胞的晶格常数较为接近，二者之间的晶格失配较小，可得到在InxAl1‑xN层上生长的晶体质量良好的低温GaN层。InxAl1‑xN层缓解了AlN层与低温GaN层之间原有的晶格失配，起到连接AlN层与低温GaN层的同时也可保证最终生长得到的低温GaN层的质量、减小外延层中晶体缺陷的作用，进而可提高发光二极管的整体质量，进一步提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 低温GaN层 发光二极管 晶格常数 晶格失配 外延片 晶胞 制备 生长 表面平整性 发光效率 晶体缺陷 层结构 外延层 原有的 减小 保证 缓解 制造 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管的外延片，其特征在于，所述外延片包括衬底及依次层叠设置在所述衬底上的AlN层、InxAl1‑xN层、低温GaN层、未掺杂GaN层、N型GaN层、有源层及P型GaN层，其中，0.16≤x≤0.18。
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