[发明专利]一种SiC功率器件终端及其制作方法在审
| 申请号： | 201811056289.3 | 申请日： | 2018-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN109087940A | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;叶鹏;杨卓;华凌飞 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;陈丽丽 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种SiC功率器件终端，其中，所述SiC功率器件终端包括：自下而上依次设置的阴极金属层、第一导电类型衬底层和第一导电类型外延层，所述第一导电类型外延层上设置有多个间隔分立的第二导电类型场限环，所述第一导电类型外延层上设置有多个间隔分立的第二导电类型阱区，所述第二导电类型阱区与所述第二导电类型场限环交替设置，所述第二导电类型阱区和所述第二导电类型场限环上设置钝化层。本发明还公开了一种SiC功率器件终端的制作方法。本发明提供的SiC功率器件终端具有可靠性高且能够提高产品合格率的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 功率器件 第一导电类型 终端 导电类型阱 导电类型 场限环 外延层 分立 半导体技术领域 产品合格率 阴极金属层 交替设置 依次设置 衬底层 钝化层 制作 | ||
【主权项】：
1.一种SiC功率器件终端，其特征在于，所述SiC功率器件终端包括：自下而上依次设置的阴极金属层（1）、第一导电类型衬底层（2）和第一导电类型外延层（3），所述第一导电类型外延层（3）上设置有多个间隔分立的第二导电类型场限环（5），所述第一导电类型外延层（3）上设置有多个间隔分立的第二导电类型阱区（4），所述第二导电类型阱区（4）与所述第二导电类型场限环（5）交替设置，所述第二导电类型阱区（4）和所述第二导电类型场限环（5）上设置钝化层（7）。
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