[发明专利]一种基于电荷分部调制的高线性毫米波器件

摘要

本发明涉及一种基于电荷分布调控的高线性毫米波器件及其制作方法，该制作方法包括：在外延基片上两侧制作源电极和漏电极，外延基片包括依次生长形成的衬底层、AIN成核层、GaN缓冲层、AlN插入层和AlGaN势垒层；在AlGaN势垒层上生长钝化层；在钝化层上的栅极区光刻形成渐变凹槽结构，栅极区包括渐变凹槽区域、栅脚区域和栅帽区域；在栅帽区域上光刻形成栅电极图形；对栅电极图形蒸发栅金属制作栅电极；在源电极和所述漏电极上制作金属互联层，制作得到基于电荷分布调控的高线性毫米波器。本发明有效地解决了器件在连续波工作时中心难散热的问题。

主权项

1.一种基于电荷分布调控的高线性毫米波器件的制作方法，其特征在于，包括步骤：S1、在外延基片上的两侧制作源电极(7)和漏电极(8)，其中，所述外延基片包括依次生长形成的衬底层(1)、AIN成核层(2)、GaN缓冲层(3)、AlN插入层(4)和AlGaN势垒层(5)；S2、在所述AlGaN势垒层(5)上生长钝化层(6)；S3、在所述钝化层(6)上的栅极区光刻形成渐变凹槽结构，其中，所述栅极区包括渐变凹槽区域(901)、栅脚区域(902)和栅帽区域(903)；S4、在所述栅帽区域(903)上光刻形成栅电极图形；S5、对所述栅电极图形蒸发栅金属制作栅电极(9)；S6、在所述源电极(7)和所述漏电极(8)上制作金属互联层(10)，制作得到基于电荷分布调控的高线性毫米波器。