[发明专利]一种应用于高温环境的SiC MOSFET驱动电路

摘要

本发明涉及一种应用于高温环境的SiC MOSFET驱动电路，包括：电源、主驱动电路、驱动保护电路和SiC MOSFET；其中，电源连接主驱动电路和驱动保护电路；主驱动电路连接SiC MOSFET；驱动保护电路连接主驱动电路和SiC MOSFET本发明提供的一种应用于高温环境的SiC MOSFET驱动电路解决了电平移位电路中三极管开关速度与集电极电阻发热之间的矛盾；减小输出驱动电压的上升时间和下降时间，还可以为SiC MOSFET提供更高频率的驱动信号。欠压检测电路结构大大简化，提高了电路在高温环境下的可靠性，减小了电路制造成本。通过过流保护电路中设置了保护延时，以防止过流保护电路的误触发。

主权项

1.一种应用于高温环境的SiC MOSFET驱动电路，其特征在于，包括：电源、主驱动电路、驱动保护电路和SiC MOSFET；其中，所述电源连接所述主驱动电路和所述驱动保护电路，用于给所述主驱动电路和所述驱动保护电路提供电压信号；所述主驱动电路连接所述SiC MOSFET，用于将接收的控制信号进行放大并输出；所述驱动保护电路连接所述主驱动电路和所述SiC MOSFET，用于检测所述主驱动电路的所述电压信号，并根据检测结果打开或关断所述SiCMOSFET。