[发明专利]一种金属化陶瓷基板及其制备方法在审
| 申请号： | 201811032145.4 | 申请日： | 2018-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN109206139A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 陈建国 | 申请（专利权）人： | 东莞市正品五金电子有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/581 | 分类号： | C04B35/581;C04B35/622;C04B41/90 |
| 代理公司： | 重庆百润洪知识产权代理有限公司 50219 | 代理人： | 刘立春 |
| 地址： | 523125 广东省东莞市东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属化陶瓷基板及其制备方法，所述金属化陶瓷基板按下述步骤制备：(1)制备氮化铝陶瓷基片；(2)在所述氮化铝陶瓷基片的表面形成银层；(3)在所述银层远离所述氮化铝陶瓷基片的表面形成有机层；(4)在所述有机层远离所述银层的表面形成铜浆层，以形成金属化陶瓷基板前体；(5)真空烧结所述金属化陶瓷基板前体。本发明在真空烧结的时候，真空烧结时温度比较高，银层会扩散至氮化铝陶瓷基片中，与氮化铝发生反应形成氮化银过渡层，提高了其结合力；真空烧结的过程中，由于有机层的隔绝作用，银层不会和铜浆层发生反应，阻止了银层迁移到铜浆层；本发明制备的金属化陶瓷基板的导电率高，镀覆附着性好，同时其具有优异的耐热循环性。 | ||
| 搜索关键词： | 金属化陶瓷基板 银层 制备 真空烧结 氮化铝陶瓷基片 表面形成 有机层 铜浆 前体 氮化铝陶瓷 耐热循环性 温度比较 氮化铝 氮化银 导电率 附着性 过渡层 结合力 按下 镀覆 迁移 扩散 | ||
【主权项】：
1.一种金属化陶瓷基板的制备方法，其特征在于，按下述步骤制备：(1)制备氮化铝陶瓷基片；(2)在所述氮化铝陶瓷基片的表面形成银层；(3)在所述银层远离所述氮化铝陶瓷基片的表面形成有机层；(4)在所述有机层远离所述银层的表面形成铜浆层，以形成金属化陶瓷基板前体；(5)真空烧结所述金属化陶瓷基板前体。
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