[发明专利]衬底部分上的复合原子层沉积ALD涂层及在衬底部分上形成经图案化ALD涂层的方法在审

专利信息
申请号: 201811031909.8 申请日: 2016-02-13
公开(公告)号: CN109023303A 公开(公告)日: 2018-12-18
发明(设计)人: B·C·亨德里克斯;D·W·彼得斯;李卫民;C·瓦尔德弗里德;R·A·库克;N·困达;林奕宽 申请(专利权)人: 恩特格里斯公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C23C16/455
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 顾晨昕
地址: 美国马*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 本申请描述了一种衬底部分上的复合原子层沉积ALD涂层及一种在衬底部分上形成经图案化ALD涂层的方法。在各种应用中,所述衬底部分包含金属表面,所述金属表面易于在其上形成此金属的氧化物、氮化物、氟化物或氯化物,其中所述金属表面经配置以在使用中与气体、固体或液体接触,所述气体、固体或液体与所述金属表面进行反应以形成对所述衬底制品、结构、材料或设备有害的反应产物。所述金属表面涂覆有保护涂层,所述保护涂层防止所述经涂覆表面与所述反应性气体进行反应及/或以其它方式改进所述衬底制品或设备的电性质、化学性质、热性质或结构性质。描述涂覆所述金属表面及用于选择所利用的涂层材料的各种方法。
搜索关键词: 金属表面 原子层沉积 图案化 衬底 涂覆 氯化物 反应性气体 复合 结构性质 涂层材料 涂覆表面 液体接触 氮化物 电性质 氟化物 热性质 氧化物 金属 配置 申请 应用 改进
【主权项】:
1.一种衬底部分上的复合原子层沉积ALD涂层,所述涂层包括多个层,每个层包括不同ALD产品材料,其中所述衬底部分为半导体制造装置的部件。
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