[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201811022425.7 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN109326692B | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 吕腾飞;芦玲;祝光辉;刘坚 | 申请（专利权）人： | 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/12;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 大连理工大学专利中心 21200 | 代理人： | 温福雪 |
| 地址： | 223001*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明属于半导体器件制备技术领域，一种氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法，氮化镓基发光二极管外延片从下到上依次为蓝宝石衬底、AlN缓冲层、3D生长过程中插入5～20个周期Al |
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| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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