[发明专利]一种LED倒装芯片的封装工艺有效
| 申请号： | 201811020979.3 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN109244218B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 张万功;尹梓伟;李国强;张曙光;刘智崑;王文樑;郭康贤 | 申请（专利权）人： | 东莞中之光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/52;H01L33/60 |
| 代理公司： | 广东莞信律师事务所 44332 | 代理人： | 曾秋梅 |
| 地址： | 523000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种LED倒装芯片的封装工艺，包括如下步骤：(1)在LED倒装芯片的N电极和P电极分别设置用于倒装焊键合的金属凸点；(2)提供一芯片基板，在芯片基板上设置分别用于连接外部电路的正、负电极的金属凸台；(3)将N电极上的金属凸点及N电极上的金属凸点分别与基板上对应的金属凸台对应进行共晶连接；(4)用荧光胶将芯片基板上的LED倒装芯片包覆，固化，得到封装好的LED倒装芯片；所述步骤(4)中，固化采用三级固化。本发明的封装工艺通过采用三级固化，固化效果好，不影响LED倒装芯片的出光效率，且固化后的胶体表面具有较高的硬度和强度，耐磨耐冲击。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 倒装 芯片 封装 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种LED倒装芯片的封装工艺，其特征在于：包括如下步骤：(1)在LED倒装芯片的N电极和P电极分别设置用于倒装焊键合的金属凸点；(2)提供一芯片基板，在芯片基板上设置分别用于连接外部电路的正、负电极的金属凸台；(3)将N电极上的金属凸点及N电极上的金属凸点分别与基板上对应的金属凸台对应进行共晶连接；(4)用荧光胶将芯片基板上的LED倒装芯片包覆，固化，得到封装好的LED倒装芯片；所述步骤(4)中，固化采用三级固化，一级固化：固化温度为140‑160℃，4‑6min；二级固化：固化温度为120‑140℃，1‑3h；三级固化100‑120℃，40‑60min。
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