[发明专利]一种高温热氧化机台结构在审
| 申请号： | 201811020748.2 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN109244010A | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 徐杰;乔磊 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种高温热氧化机台结构，包括：反应腔室的底部侧面设置有进气口；气体管路，气体管路连接至进气口，并延伸至反应腔室的底部，用以输送一反应气体；至少两根补偿管路，至少两根补偿管路连接至进气口，并分别延伸至反应腔室的中部与顶部；流量控制器，分别设置于至少两根补偿管路与气体管路上，用以控制至少两根补偿管路与气体管路中反应气体的流量。本发明的技术方案有益效果在于：优化高温热氧化机台结构，通过增加至少两个补偿管路，并通过流量控制器控制反应气体的流量，弥补反应气体随气流方向的损耗，以提高晶圆的薄膜质量的均匀性，进一步地提高后续晶圆刻蚀的一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 补偿管路 反应气体 进气口 高温热氧化 反应腔室 机台结构 气体管路 流量控制器 晶圆 底部侧面 均匀性 气体管 延伸 刻蚀 薄膜 优化 | ||
【主权项】：
1.一种高温热氧化机台结构，其特征在于，包括：一反应腔室，所述反应腔室的底部侧面设置有一进气口；一气体管路，所述气体管路连接至所述进气口，并延伸至所述反应腔室的底部，用以输送一反应气体；至少两根补偿管路，至少两根所述补偿管路连接至所述进气口，并分别延伸至所述反应腔室的中部与顶部；流量控制器，分别设置于至少两根所述补偿管路与所述气体管路上，用以控制至少两根所述补偿管路与所述气体管路中所述反应气体的流量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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