[发明专利]一种具有高散热结构的N面GaN HEMT器件及制作方法有效
| 申请号： | 201811018296.4 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN109360856B | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 马晓华;王瑜;郝跃;武玫;马佩军 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/20;H01L29/778 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 郝梦玲 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有高散热结构的N面GaN HEMT器件及制作方法，包括步骤：选取衬底；在衬底上依次生长AlN成核层、GaN缓冲层，AlN插入层以及AlGaN势垒层；在所述AlGaN势垒层上生长金刚石层；依次去除所述衬底、所述AlN成核层，并对所述GaN缓冲层进行刻蚀；在所述GaN上制作源电极和漏电极；对所述GaN进行有源区台面隔离；在所述源电极、所述漏电极和所述GaN上制作钝化层；在所述GaN上制作栅电极，得到N面GaN HEMT器件。该器件采用转移取代直接生长，克服了较为困难的生长工艺；该器件采用金刚石作为器件衬底，具有良好的导热能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 散热 结构 gan hemt 器件 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有高散热结构的N面GaN HEMT器件的制作方法，其特征在于，包括步骤：S1.选取衬底；S2.在衬底上依次生长AlN成核层、GaN缓冲层，AlN插入层以及AlGaN势垒层；S3.在所述AlGaN势垒层上生长金刚石层；S4.依次去除所述衬底、所述AlN成核层，并对所述GaN缓冲层刻蚀，以使所述GaN缓冲层保留30～50nm；S5.在所述GaN层上制作源电极和漏电极；S6.对所述GaN层进行有源区台面隔离；S7.在所述源电极、所述漏电极和所述GaN层上制作钝化层；S8.在所述GaN层上制作栅电极，并对源电极和漏电极上的钝化层进行去除，得到N面GaN HEMT器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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