[发明专利]一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法有效
| 申请号： | 201811012909.3 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109273569B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 葛永晖;郭炳磊;曹阳;吕蒙普;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓基发光二极管外延片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述有源层、所述电子阻挡层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述电子阻挡层包括第一子层以及插入在所述第一子层中的至少一个第二子层，所述第一子层的材料采用掺杂镁的氮化铝镓，所述第二子层的材料采用掺杂碳的氮化铝镓，所述第一子层的厚度大于所述电子阻挡层的厚度的1/2。本发明通过在掺杂镁的氮化铝镓层中插入至少一个掺杂碳的氮化铝镓层，实现空穴的平面铺展，降低电子阻挡层的串联电阻，增强LED的抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 外延 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓基发光二极管外延片，所述氮化镓基发光二极管外延片包括衬底、N型半导体层、有源层、电子阻挡层和P型半导体层，所述N型半导体层、所述有源层、所述电子阻挡层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，其特征在于，所述电子阻挡层包括第一子层以及插入在所述第一子层中的至少一个第二子层，所述第一子层的材料采用掺杂镁的氮化铝镓，所述第二子层的材料采用掺杂碳的氮化铝镓，所述第一子层的厚度大于所述电子阻挡层的厚度的1/2。
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