[发明专利]铜等离子体蚀刻方法及显示面板的制造方法在审
| 申请号： | 201811011271.1 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN109599331A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 金湘甲;洪雯杓;赵炫珉;权成容;尹皓园 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司;高丽大学校世宗产学协力团 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/28;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 王东贤;王珍仙 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及铜等离子体蚀刻方法以及显示面板制造方法。根据示例性实施方式的铜等离子体蚀刻方法包括：将基板放置在等离子体蚀刻设备的处理室中的基座上；将包括氯化氢的蚀刻气体供应到处理室中；等离子体蚀刻在基板中的含有铜的导电层；以及在等离子体蚀刻期间将基座的温度保持在10℃或更低。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 铜等离子体 等离子体蚀刻 显示面板 等离子体蚀刻设备 基板放置 蚀刻气体 温度保持 导电层 氯化氢 基板 制造 | ||
【主权项】：
1.一种铜等离子体蚀刻方法，包括：将基板放置在等离子体蚀刻设备的处理室中的基座上，所述基板包括含有铜的导电层；将含有氯化氢的蚀刻气体供应到所述处理室中；等离子体蚀刻在所述基板上的含有铜的所述导电层；以及在所述等离子体蚀刻期间保持所述基座的温度在10℃或更低。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
