[发明专利]铜等离子体蚀刻方法及显示面板的制造方法

说明书

本发明涉及铜等离子体蚀刻方法以及显示面板制造方法。根据示例性实施方式的铜等离子体蚀刻方法包括：将基板放置在等离子体蚀刻设备的处理室中的基座上；将包括氯化氢的蚀刻气体供应到处理室中；等离子体蚀刻在基板中的含有铜的导电层；以及在等离子体蚀刻期间将基座的温度保持在10℃或更低。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年9月29日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2017-0127794号的优先权和权益，该申请的全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及铜等离子体蚀刻方法，以及用于通过使用铜等离子体蚀刻制造电子装置(诸如显示面板)的方法。

背景技术

在制造诸如显示装置、半导体装置等的电子装置时，可能需要高分辨率电路和高密度电路。为了形成高分辨率电路和高密度电路，形成电路的导线可能需要变窄，因此，具有高导电性的铜可能是有利的。因此，可能要求用于控制铜线的蚀刻均匀性、形成良好轮廓、具有精确临界尺寸(CD)等的蚀刻工艺。然而，典型的湿法蚀刻工艺在形成宽度为例如约2微米(μm)或更小的铜线时可能难以控制精确临界尺寸。

在本背景技术部分中公开的以上信息仅用于增强对本发明背景的理解，因此它可能包含不形成本国本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本申请实施方式提供一种改进的铜等离子体蚀刻方法，以及一种用于制造电子装置的方法。

一种铜等离子体蚀刻方法，包括：将包含含有铜的导电层的基板放置在等离子体蚀刻设备的处理室中的基座上；将包括氯化氢的蚀刻气体供应到处理室中；在基板上等离子体蚀刻该含有铜的导电层；并且在等离子体蚀刻期间将基座的温度保持在约10℃或更低。

等离子体蚀刻可以包括以下反应阶段：

第一反应阶段：Cu+Cl→CuCl(s)

第二反应阶段：CuCl+Cl→CuCl₂(s)

第三反应阶段：CuCl₂+3H→CuH(g)+2HCl(g)

3CuCl₂+3H→Cu₃Cl₃(g)+3HCl(g)

3CuCl₂+3/2H₂→Cu₃Cl₃(g)+3HCl(g)。

在等离子体蚀刻中，氢自由基的数量可以大于或等于氯自由基的数量。

蚀刻气体可以进一步包括H₂气。

H₂气相对于氯化氢的流速比可以为约0.5或更小。

等离子体蚀刻可以使用由电子回旋共振(ECR)等离子体源形成的等离子体来实施。

在等离子体蚀刻中，可以施加反应性离子蚀刻。

等离子体蚀刻可以在约10^-2托至约10^-4托的处理压力下实施。

在等离子体蚀刻中，可以使用光刻胶掩模作为蚀刻掩模。

一种显示面板制造方法，包括：在基板上形成含有铜的导电层；将其上形成有导电层的基板放置在等离子体蚀刻设备的处理室中的基座上；将包括氯化氢的蚀刻气体供应到处理室中；等离子体蚀刻该导电层；以及在等离子体蚀刻期间将基座的温度保持在约10℃或更低。

导电层的等离子体蚀刻可以包括形成栅极线和栅极。

导电层的等离子体蚀刻可以包括形成数据线、源极和漏极。