[发明专利]一种欧姆接触金属锗的蒸镀方法及其应用有效
| 申请号： | 201811004148.7 | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN109103088B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 张冰 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;C23C14/16;C23C14/30 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 杜朗宇;苟铭 |
| 地址： | 610029 四川省成都市双流区中国（四川）自*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明具体涉及一种欧姆接触金属锗的蒸镀方法，将蒸发源锗置于石墨坩埚中，在真空条件下采用电子束进行蒸镀，所述电子束蒸镀时功率为1.0‑1.1KW，蒸镀速率为0.3‑0.5nm/s。本发明所述方法既保持了高蒸发速率，又能保证制备的金属层表面金属颗粒少，表面均匀平整。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 欧姆 接触 金属 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
1.一种欧姆接触金属锗的蒸镀方法，其特征在于，包括以下内容：将蒸发源锗置于石墨坩埚中，在真空条件下，采用电子束进行预融和蒸镀锗，所述预融功率为0.9‑1.5KW，预融时长为255‑265s。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
