[发明专利]一种欧姆接触金属锗的蒸镀方法及其应用

权利要求书

1.一种欧姆接触金属锗的蒸镀方法，其特征在于，包括以下内容：将蒸发源锗置于石墨坩埚中，在真空条件下，采用电子束进行预融和蒸镀锗，所述预融功率为0.9-1.5KW，预融时长为255-265s；

所述预融过程分为三个阶段，各阶段的预融功率依次为0.89-0.91KW、1.19-1.21KW、1.08-1.11KW，各阶段预融时长依次为98-102s、78-82s、78-82s；

所述石墨坩埚满足以下一个或多个条件：

1)石墨含量≥99.99％；

2)密度≥1.75g/cm³；

3)热传导率为150-200W/mK。

2.根据权利要求1所述欧姆接触金属锗的蒸镀方法，其特征在于：

所述预融过程各阶段的预融功率依次为0.9KW、1.2KW、1.0KW，各阶段预融时长依次为100s、80s、80s。

3.根据权利要求1所述欧姆接触金属锗的蒸镀方法，其特征在于：所述电子束蒸镀时功率为1.0-1.1KW，蒸镀速率为0.3-0.5nm/s。

4.根据权利要求3所述欧姆接触金属锗的蒸镀方法，其特征在于：所述电子束蒸镀时功率为1.05KW，蒸镀速率为0.4nm/s。

5.根据权利要求1-4任一所述欧姆接触金属锗的蒸镀方法在半导体器件上制备欧姆接触电极的应用，其特征在于，包括以下内容：

1)界面清洗处理；

2)光刻可剥离的欧姆接触图形；

3)分别将Au源、Ge源、Ni源置于相应石墨坩埚内，在真空条件下，依次蒸镀形成Au、Ge、Ni、Au层；

4)剥离成型、合金即可。

6.根据权利要求5所述欧姆接触金属锗的蒸镀方法在半导体器件上制备欧姆接触电极的应用，其特征在于：所述清洗指先用10％氨水漂洗，然后用去离子水冲洗，再氮气吹干。

7.根据权利要求5所述欧姆接触金属锗的蒸镀方法在半导体器件上制备欧姆接触电极的应用，其特征在于：所述步骤2)包括以下内容：涂胶、前烘、曝光、显影、后烘、清理；所述涂胶的胶层厚度为1.3-1.5μm；前烘温度为128-135℃，时长55-65s；曝光时长为18-22s；显影时长为55-65s。

8.根据权利要求7所述欧姆接触金属锗的蒸镀方法在半导体器件上制备欧姆接触电极的应用，其特征在于：所述涂胶的胶层厚度为1.4μm；前烘温度为130℃，时长60s；曝光时长为20s；显影时长为60s。

9.根据权利要求5所述欧姆接触金属锗的蒸镀方法在半导体器件上制备欧姆接触电极的应用，其特征在于：所述Au源、Ge源、Ni源的蒸镀功率分别为1.35-1.45KW、1.00-1.10KW、2.35-2.45KW。

10.根据权利要求5所述欧姆接触金属锗的蒸镀方法在半导体器件上制备欧姆接触电极的应用，其特征在于：按蒸镀前后顺序所述Au、Ge、Ni、Au层的厚度分别为52-54nm、45-47nm、29-31nm、170-172nm。

11.根据权利要求5所述欧姆接触金属锗的蒸镀方法在半导体器件上制备欧姆接触电极的应用，其特征在于：所述半导体为GaAs或InP。