[发明专利]成膜装置以及成膜方法

摘要

本发明涉及成膜装置以及成膜方法，提供抑制对晶片的损伤，并以低温形成高品质的氮化硅膜的技术。当对在处理容器(1)内载置的晶片W供给Si₂H₆气体和NH₃气体来形成SiN膜时，针对NH₃气体，进行在与Si₂H₆气体反应前照射紫外线的远程紫外线照射，并供给至处理容器1内。因此，能够利用活化的NH₃气体和Si₂H₆气体在较低的加热温度下在晶片W形成高品质的氮化硅膜。而且，由于设为对向处理容器1内导入前的NH₃气体照射紫外线的远程紫外线处理，所以能够不对晶片W照射紫外线并抑制晶片W的损伤。

主权项

1.一种成膜装置，是用于使包含硅的原料气体和包含氮的反应气体反应而在基板上形成氮化硅膜的装置，其特征在于，具备：处理容器，用于形成真空环境；基板的载置部，被设置在上述处理容器内；原料气体供给部，用于向上述处理容器内供给原料气体；反应气体供给部，用于向上述处理容器内供给包含氮的气体；以及紫外线照射部，用于在上述反应气体与上述原料气体反应前激发该反应气体，上述成膜装置构成为不对上述载置部上的基板照射上述紫外线照射部的紫外线。