[发明专利]基板处理装置和基板处理方法有效
| 申请号: | 201811000665.7 | 申请日: | 2015-10-20 |
| 公开(公告)号: | CN109244004B | 公开(公告)日: | 2022-04-15 |
| 发明(设计)人: | 高桥宏幸;风间和典;岩渕纪之;户田聪;高桥哲朗 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/3065;H01L21/311 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 提供一种基板处理装置和基板处理方法,在使用多个处理部对多个被处理基板分别进行处理时,能够共用排气机构并且实施不同的气体条件的基板处理。该基板处理装置具备对多个被处理基板(Wa、Wb)实施基板处理的多个处理部(11a、11b)、从多个处理部共同排出气体的排气机构(15)、对多个处理部相独立地供给气体的气体供给机构(14)以及控制部(16),其中,在对多个被处理基板实施基板处理时,控制部一边控制排气机构使得从多个处理部一并排出气体,一边控制气体供给机构使得对多个处理部相独立地供给处理气体并且阻止产生多个处理部之间的压力差。 | ||
| 搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,在真空环境下对多个被处理基板实施预先决定的基板处理,所述基板处理装置包括:多个处理部,所述多个处理部设置于一个共同的腔室内,分别对所述多个被处理基板的各被处理基板实施所述基板处理;气体供给机构,其设置于所述一个共同的腔室外部,分别对所述多个处理部的各处理部相独立地供给处理气体和调压气体;共同的排气机构,其将所述多个处理部内的处理气体一并排出,设置于所述一个共同的腔室内的所述多个处理部共用所述共同的排气机构;以及控制部,其控制所述气体供给机构和所述共同的排气机构,其中,所述气体供给机构包括处理气体供给配管和调压气体供给配管,各处理气体供给配管和调压气体供给配管包括流量控制器和开闭阀,所述控制部构成为,一边控制所述共同的排气机构使得从所述多个处理部一并排出所述处理气体,一边对所述气体供给机构的流量控制器和开闭阀相独立地进行控制使得分别向多个处理部的各处理部供给处理气体和调压气体,并且在向所述多个处理部的各处理部的处理气体的供给不同的情况下,控制所述调压气体的流量使得阻止产生所述多个处理部之间的内部压力差。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





