[发明专利]相变化存储器单元在审
| 申请号： | 201810986570.0 | 申请日： | 2018-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN109427970A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 蔡伊甄;刘世昌 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种相变化存储器(PCM)单元，具有增强的热隔离以及低功耗。在一些实施例中，相变化存储器单元包括下电极、介电层、加热元件以及相变化元件。介电层在下电极上。加热元件从介电层的顶部延伸穿过介电层到达下电极。此外，加热元件具有一对相对的侧壁，其通过空穴与介电层横向地隔开。相变化元件覆盖并接触加热元件。相变化元件与加热元件之间的一界面个别地从加热元件的这对相对的侧壁中的一者连续地延伸至这对相对的侧壁中的另一者。亦提供了一种相变化存储器单元制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 加热元件 介电层 相变化 存储器单元 相变化元件 侧壁 下电极 空穴 存储器 接触加热 延伸穿过 低功耗 热隔离 电极 隔开 延伸 覆盖 制造 | ||
【主权项】：
1.一种相变化存储器单元，包括：一下电极；一介电层，位于上述下电极上；一加热元件，从上述介电层的顶部延伸穿过上述介电层到达上述下电极，其中上述加热元件具有一对相对的侧壁，其通过一空穴与上述介电层横向地隔开；以及一相变化元件，覆盖并接触上述加热元件，其中上述相变化元件与上述加热元件之间的一界面由上述加热元件的上述相对的侧壁中的一者连续地延伸至上述相对的侧壁中的另一者。
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