[发明专利]利用具有模拟电路的系统产生动态空乏晶体管的模型有效
申请号: | 201810981633.3 | 申请日: | 2018-08-27 |
公开(公告)号: | CN109841613B | 公开(公告)日: | 2023-07-25 |
发明(设计)人: | A·杜塔;T·厄蒂拉詹 | 申请(专利权)人: | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G06F30/3308 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及利用具有模拟电路的系统产生动态空乏晶体管的模型,其中,一种模拟晶体管的特性的模拟电路经产生以包括:隔离本体电阻器,表示晶体管的沟道隔离部分的电阻;主体电阻器,表示该晶体管的主要沟道部分的电阻;隔离晶体管,与该隔离本体电阻器连接;以及本体‑接触晶体管,与该主体电阻器连接。通过向该模拟电路提供测试输入同时选择性激活该隔离晶体管或该本体‑接触晶体管来生成模拟数据。通过向该晶体管提供该测试输入并测量该晶体管的输出生成测试数据。比较该模拟数据与该测试数据,以识别数据差异。改变该晶体管的设计以减小该数据差异。重复所述生成测试数据、比较,以及设计改变,直至该数据差异在阈值内。 | ||
搜索关键词: | 利用 具有 模拟 电路 系统 产生 动态 空乏 晶体管 模型 | ||
【主权项】:
1.一种方法,包括:产生模拟晶体管的特性的模拟电路,其中,该模拟电路经产生以包括:隔离本体电阻器,表示该晶体管的沟道隔离部分的电阻;主体电阻器,表示该晶体管的主要沟道部分的电阻;隔离晶体管,与该隔离本体电阻器连接;以及本体‑接触晶体管,与该主体电阻器连接;通过向该模拟电路提供测试输入并同时选择性激活该隔离晶体管或该本体‑接触晶体管来生成模拟数据;通过向该晶体管提供该测试输入并测量该晶体管的输出生成测试数据;比较该模拟数据与该测试数据,以识别数据差异;改变该晶体管的设计以减小该数据差异;重复所述生成测试数据、所述比较,以及所述改变该设计,直至该数据差异在阈值内以产生最终设计;以及输出该最终设计以用于该晶体管的制造。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格芯(美国)集成电路科技有限公司,未经格芯(美国)集成电路科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201810981633.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:制作集成电路装置的方法
- 下一篇:半导体结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的