[发明专利]制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 201810972832.8 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109841532A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 杨国男;罗婉瑜;王中兴;H·比斯瓦思 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;G06F9/30 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蒋林清 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种制造半导体装置的方法，其包含：提供具有多个电路单元的第一电路；分析连接所述多个电路单元中的第一电路单元与第二电路单元的第一引脚单元上的负载电容以确定所述第一引脚单元的所述负载电容是否大于第一预定电容；当所述负载电容大于所述第一预定电容时，由第二引脚单元替换所述第一引脚单元以产生第二电路，其中所述第二引脚单元不同于所述第一引脚单元；和根据所述第二电路而产生所述半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 引脚单元 电路单元 半导体装置 负载电容 电路 电容 替换 制造 分析 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体装置的方法，所述方法包括：提供具有多个电路单元的第一电路；分析连接所述多个电路单元中的第一电路单元与第二电路单元的第一引脚单元上的负载电容以确定所述第一引脚单元的所述负载电容是否大于第一预定电容；当所述负载电容大于所述第一预定电容时，由第二引脚单元替换所述第一引脚单元以产生第二电路，其中所述第二引脚单元不同于所述第一引脚单元；以及根据所述第二电路而产生所述半导体装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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