[发明专利]背照式图像传感器及其制造方法有效
| 申请号： | 201810970047.9 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109216389B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 黄心怡;鲸井裕 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 边海梅 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开涉及背照式图像传感器及其制造方法。该背照式图像传感器包括:衬底，所述衬底具有第一导电类型并且具有第一掺杂浓度，所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；所述衬底包括像素区域以及像素区域之间的隔离区域，其中所述隔离区域包括从所述第一表面延伸到所述第二表面的沟槽，所述沟槽包括：位于所述沟槽的侧壁上的沟槽衬垫层、位于所述沟槽的底部的第一导电类型的半导体材料以及位于所述沟槽的靠近所述第一表面的部分中的绝缘材料，其中所述半导体材料具有高于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 背照式 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种背照式图像传感器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底具有第一导电类型并且具有第一掺杂浓度，所述衬底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；所述衬底包括像素区域以及像素区域之间的隔离区域，其中所述隔离区域包括从所述第一表面延伸到所述第二表面的沟槽，所述沟槽包括：位于所述沟槽的侧壁上的沟槽衬垫层、位于所述沟槽的底部的第一导电类型的半导体材料以及位于所述沟槽的靠近所述第一表面的部分中的绝缘材料，其中所述半导体材料具有高于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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