[发明专利]一种发光二极管及制作方法有效
| 申请号： | 201810939754.1 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN108807629B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 刘英策;刘昭;李俊贤;魏振东;邬新根 | 申请（专利权）人： | 厦门乾照光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 厦门市天富勤知识产权代理事务所(普通合伙) 35244 | 代理人： | 唐绍烈 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市火炬*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种发光二极管及制作方法，通过在钝化层上形成多个通孔，电流从第一电极注入，经过通孔结构传至电流扩展层，以增加横向电流扩展。并且，通过形成电流扩展凹槽，且将电流扩展凹槽的侧壁设置为波浪形，以增大出光面，增加纵向电流扩展，进而提高发光二极管的出光效率。并且，该发光二极管的制作方法简单。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管，其特征在于，包括：衬底；设置在所述衬底表面的外延层结构；所述外延层结构包括：在第一方向上依次设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第一方向垂直于所述衬底，且由所述衬底指向所述外延层结构；设置在所述外延层结构背离所述衬底一侧的电流扩展层；贯穿所述电流扩展层、所述第二半导体层和所述发光层的电极凹槽和电流扩展凹槽，所述电流扩展凹槽的侧壁为波浪形；所述电流扩展凹槽与所述电极凹槽相通，且在所述第一方向上，所述电极凹槽的深度与所述电流扩展凹槽的深度相同；设置在所述电流扩展层背离所述外延层结构一侧以及所述电极凹槽内以及所述电流扩展凹槽内的钝化层，所述钝化层上设置有多个阵列排布的通孔；设置在所述钝化层背离所述电流扩展层一侧的第一电极，所述第一电极覆盖所述通孔；设置在所述电极凹槽内的第二电极，所述第二电极覆盖所述通孔。
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