[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201810939441.6 | 申请日： | 2018-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN110289266B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 田中亮;山崎博之;原川秀明 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/27 | 分类号： | H10B43/27;H10B43/35;H10B41/27;H10B41/35 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式的半导体装置具备：第1柱状体，在交替地层叠有第1绝缘层与第1导电膜的第1层叠体内在其层叠方向通过，且包含第1绝缘体、第1半导体的第1部分、第2绝缘体及第2部分，所述第1半导体的第1部分设置在第1绝缘体的上表面上及外侧面上，所述第2绝缘体设置在第1部分的外侧面上，所述第2部分设置在第1层叠体的上方且连接在第1部分的上表面上，且具有大于第1部分的上表面的下表面；氧化膜，设置在第2部分的侧面上；以及第2柱状体，设置在第2部分及氧化膜的上方，且在层叠有第2绝缘层及第2导电膜的第2层叠体内在其层叠方向通过，且包含与第1半导体电连接的第2半导体及设置在第2半导体的外侧面上的第3绝缘体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：基板；第1层叠体，设置在所述基板的上方，且交替地层叠有第1绝缘层与第1导电膜；第1柱状体，在所述第1绝缘层与所述第1导电膜的层叠方向通过所述第1层叠体内而设置，且包含第1绝缘体、第1半导体的第1部分、第2绝缘体及所述第1半导体的第2部分，所述第1半导体的第1部分设置在所述第1绝缘体的上表面上及外侧面上，所述第2绝缘体设置在所述第1半导体的所述第1部分的外侧面上，所述第1半导体的第2部分设置在所述第1层叠体的上方且连接在所述第1半导体的所述第1部分的上表面上，具有大于所述第1半导体的所述第1部分的上表面的下表面；氧化膜，设置在所述第1半导体的所述第2部分的侧面上；第2层叠体，设置在所述第1半导体的所述第2部分及所述氧化膜的上方，且层叠有第2绝缘层及第2导电膜；以及第2柱状体，在所述第2绝缘层与所述第2导电膜的层叠方向通过所述第2层叠体内而设置，且包含与所述第1半导体电连接的第2半导体、及设置在所述第2半导体的外侧面上的第3绝缘体。
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