[发明专利]半导体发光器件有效
| 申请号： | 201810927330.3 | 申请日： | 2015-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN108807632B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 李美姬;李俊熙;李所螺;张美萝 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/22;H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 程月;韩芳 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体发光器件，其包括：发光结构，在发光结构中，堆叠导电衬底、第二导电型半导体层、活性层和第一导电型半导体层；扩散金属层和绝缘层，形成在导电衬底与第二导电型半导体层之间；反射电极层，形成在第二导电型半导体层下方，其中，反射电极层的面向第二导电型半导体层的顶表面具有比第二导电型半导体层的底表面小的面积，扩散金属层形成通过绝缘层、第二导电型半导体层和活性层延伸至第一导电型半导体层内部的多个通孔，并且通过通孔将扩散金属层电耦联至第一导电型半导体层，以及任一通孔与邻近于通孔的另一个通孔之间的最短距离D2比最靠近第一导电型半导体层的外部的通孔与第二导电型半导体层的外部之间的最短距离D3大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光器件，所述半导体发光器件包括：发光结构，在所述发光结构中，堆叠导电衬底、第二导电型半导体层、活性层和第一导电型半导体层；扩散金属层和绝缘层，形成在所述导电衬底与所述第二导电型半导体层之间；以及反射电极层，形成在所述第二导电型半导体层下方，其中，所述反射电极层的面向所述第二导电型半导体层的顶表面具有比所述第二导电型半导体层的底表面小的面积，所述扩散金属层形成通过所述绝缘层、所述第二导电型半导体层和所述活性层延伸至所述第一导电型半导体层内部的多个通孔，并且通过所述通孔将所述扩散金属层电耦联至所述第一导电型半导体层，以及任一通孔与邻近于所述通孔的另一个通孔之间的最短距离D2比最靠近所述第一导电型半导体层的外部的通孔与所述第二导电型半导体层的外部之间的最短距离D3大。
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