[发明专利]单光子雪崩二极管图像传感器以及相关制造方法在审
| 申请号： | 201810926984.4 | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN109728009A | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 王子睿;施俊吉;山下雄一郎;黄国钦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蒋林清 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例揭露一种单光子雪崩二极管SPAD图像传感器以及相关制造方法。所述SPAD图像传感器包含：衬底，其具有第一导电类型，所述衬底具有前表面及后表面；深沟槽隔离DTI，其从所述衬底的所述前表面朝向所述后表面延伸，所述DTI具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面与所述衬底的所述前表面齐平；外延层，其具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，所述外延层包围所述DTI的侧壁及所述第二表面；及注入区，其具有所述第一导电类型，所述注入区从所述衬底的所述前表面延伸到所述后表面。还揭露一种用于制造所述SPAD图像传感器的相关方法。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 图像传感器 前表面 第一导电类型 第一表面 后表面 单光子雪崩二极管 第二表面 外延层 注入区 制造 深沟槽隔离 导电类型 延伸 侧壁 齐平 包围 | ||
【主权项】：
1.一种单光子雪崩二极管SPAD图像传感器，其包括：衬底，其具有第一导电类型，所述衬底具有前表面及后表面；深沟槽隔离DTI，其从所述衬底的所述前表面朝向所述后表面延伸，所述DTI具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面与所述衬底的所述前表面齐平；外延层，其具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型，所述外延层包围所述DTI的侧壁及所述第二表面；及注入区，其具有所述第一导电类型，其从所述衬底的所述前表面延伸到所述后表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
