[发明专利]增强图像传感器近红外性能的像素单元结构和形成方法

摘要

本发明公开了一种增强图像传感器近红外性能的像素单元结构，包括：硅衬底；设于硅衬底正面的光电二极管和传输管栅极；设于硅衬底正面下方的层间介质层；设于层间介质层中的金属互连层和金属反射层，金属反射层对应位于光电二极管的下方；金属反射层具有面向光电二极管设置的弧形凹面，弧形凹面用于对自硅衬底背面入射的光线进行聚光，并再次反射至光电二极管中实现光电转换，保证了近红外光在硅衬底里吸收比例的大幅上升，从而实现了对近红外入射光线的有效收集，明显提高了像素单元近红外的量子效率，增强了图像传感器的近红外性能。本发明还公开了一种增强图像传感器近红外性能的像素单元结构的形成方法。

主权项

1.一种增强图像传感器近红外性能的像素单元结构，其特征在于，包括：硅衬底；设于所述硅衬底正面的光电二极管和传输管栅极；设于所述硅衬底正面下方的层间介质层；设于所述层间介质层中的金属互连层和金属反射层，所述金属反射层对应位于光电二极管的下方；其中；所述金属反射层具有面向光电二极管设置的弧形凹面，所述弧形凹面用于对自硅衬底背面入射的光线进行聚光，并再次反射至光电二极管中。