[发明专利]加工腔室的清洁方法及等离子体加工装置有效
| 申请号： | 201810902004.7 | 申请日： | 2018-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN109585247B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 廖敬丞;曾李全;吴常明 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 聂慧荃;闫华 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在一些实施例中，提供一种加工腔室的清洁方法及等离子体加工装置。可透过将加工气体引入加工腔室中来执行此方法，其中加工腔室具有沿加工腔室侧壁的副产物。利用射频信号由加工气体产生等离子体。将下方电极连接至第一电位。同时，对侧壁电极施加具有第二电位的偏压，以促使对副产物的离子轰击，其中第二电位的值大于第一电位的值。从加工腔室排出加工气体。 | ||
| 搜索关键词： | 加工 清洁 方法 等离子体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种加工腔室的清洁方法，包括：将一加工气体引入一加工腔室中，其中该加工腔室具有沿该加工腔室的多个侧壁的一副产物；利用一射频(RF)信号由该加工气体产生一等离子体；将设置于该加工腔室的该等侧壁内的一下方电极连接至一第一电位；同时对一侧壁电极施加具有一第二电位的一偏压，以促使对该副产物的离子轰击，其中该第二电位的值大于该第一电位的值；以及从该加工腔室排出该加工气体。
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